江苏省技术产权交易市场

新型中低压MOS二极管的研发
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发布时间: 2022-12-06 17:03:21 剩余时间: 326天
需求编号
FT5055506983404544
发布者
技术产权交易市场无锡地方分中心
需求状态
待解决
意向投入
面议
联系方式
199xxxx0988 【点击查看】
通过新型中低压MOS二极管研发拓宽公司产品序列,增强企业在行业内的竞争力。
根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时,管子是呈截止状态;加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。
以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。电位方向是从外向里,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。
技术领域
电子信息,微电子技术
需求类型
关键技术研发
有效期至
2023-12-31
合作方式
技术转让
需求来源
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